半导体 组件 industries, llc, 2003
march, 2003 - rev. 0
1
发行 顺序 号码:
bc847cdxv6t1/d
bc847cdxv6t1,
BC847CDXV6T5
bc848cdxv6t1,
BC848CDXV6T5
双 一般 目的
晶体管
npn duals
这些 晶体管 是 设计 为 一般 目的 放大器
产品. 它们 是 housed 在 这 sot-563 这个 是 设计 为
低 电源 表面 挂载 产品.
•
含铅的-自由 焊盘 镀层
最大 比率
比率 标识 BC847 BC848 单位
集电级- 发射级 电压 V
CEO
45 30 V
集电级- 根基 电压 V
CBO
50 30 V
发射级- 根基 电压 V
EBO
6.0 5.0 V
集电级 电流 -
持续的
I
C
100 100 mAdc
热的 特性
典型的
(一个 接合面 heated)
标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
357
(便条 1)
2.9
(便条 1)
mW
mw/
°
C
热的 阻抗 -
接合面-至-包围的
R
JA
350
(便条 1)
°
c/w
典型的
(两个都 汇合处 heated)
标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
500
(便条 1)
4.0
(便条 1)
mW
mw/
°
C
热的 阻抗 -
接合面-至-包围的
R
JA
250
(便条 1)
°
c/w
接合面 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
- 55 至 +150
°
C
1. fr-4 @ 最小 垫子
sot-563
情况 463a
塑料
1
2
3
6
5
4
Q
1
(1)(2)
(3)
(4) (5) (6)
Q
2
订货 信息
http://onsemi.com
1G = bc847cdxv6t1, bc847cdxv6t5
1L = bc848cdxv6t1, bc848cdxv6t5
D = 日期 代号
标记 图解
1g d 1l d
设备 包装 Shipping
BC847CDXV6T1 sot-563 4 mm 程度
4000/录音带 &放大; 卷轴
BC847CDXV6T5 sot-563 2 mm 程度
8000/录音带 &放大; 卷轴
BC848CDXV6T1 sot-563 4 mm 程度
4000/录音带 &放大; 卷轴
BC848CDXV6T5 sot-563 2 mm 程度
8000/录音带 &放大; 卷轴
BC847CDXV6T1
: 点此下载
