igbt 单元
nn
特性
•
正方形的 rbsoa
•
低 饱和 电压
•
较少 总的 电源 消耗
•
改进 fwd 典型的
•
使减少到最低限度 内部的 偏离 电感
nn
产品
•
高 电源 切换
•
一个.c. 发动机 控制
•
d.c. 发动机 控制
•
uninterruptible 电源 供应
nn
外形 绘画
nn
最大 比率 和 特性
•绝对 最大 比率
( t
c
=25°C)
Items Symbols 比率 单位
集电级-发射级 电压 V
CES
1200 V
门 -发射级 电压 V
GES
±
20
V
持续的 (25°c / 80°c) I
C
800 / 600
集电级 1ms (25°c / 80°c) I
c 脉冲波
1600 / 1200
电流 持续的 -i
C
600
1ms -i
c pULSE
1200
最大值 电源 消耗 P
C
4100 W
运行 温度 T
j
+150 °C
存储 温度 T
stg
-40
∼
+125
°C
分开 电压 一个.c. 1min. V
是
2500 V
挂载 *1 4.5
screw torque terminals *2 11.0 Nm
terminals *3 1.7
便条:
*1:recommendable 值; 4.0 ± 0.5 nm (m6)
*2:recommendable 值; 10.0 ± 1.0 nm (m8)
*3:recommendable 值; 1.5 ± 0.2 nm (m4)
•电的 特性
( 在 t
j
=25°c )
Items Symbols 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
零 门 电压 集电级 电流 I
CES
V
GE
=0v v
CE
=1200V 2.0 毫安
门-发射级 leackage 电流 I
GES
V
CE
=0v v
GE
=
±
20V
±
0.5
µ
一个
门-发射级 门槛 电压 V
ge(th)
V
GE
=20v i
C
=600mA 7.0 8.0 9.0 V
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
V
GE
=15v i
C
=600A 2.85 3.2 V
输入 电容 C
ies
V
GE
=0V 60
输出 电容 C
oes
V
CE
=10V 9 nF
反转 转移 电容 C
res
f=1MHz 4
t
在
V
CC
=600V 0.75 1.20
t
r
I
C
=600A 0.02 0.60
t
止
V
GE
=
±
15V
0.65 1.00
t
f
R
G
=2.0
Ω
0.01 0.30
二极管 向前 在-电压 V
F
I
F
=600a v
GE
=0V 3.4 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=600a, v
GE
=-15v 350 ns
•热的 特性
Items Symbols 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th(j-c)
IGBT 0.03
热的 阻抗 R
th(j-c)
二极管 0.06 °c/w
R
th(c-f)
和 热的 复合 0.0063
nn
相等的 电路
转变-在 时间
转变-止 时间
µ
s
一个