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资料编号:28564
 
资料名称:1N5062
 
文件大小: 129.43K
   
说明
 
介绍:
Standard silicon rectifier diodes
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号1N5062的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1n5059 thru1N5062
glass 钝化的 接合面 整流器
反转 电压 -
200 至 800 伏特
向前 电流 -
1. 0 ampere
特性
高 温度 metallurgically 绑定
构建
1.0 ampere 运作 在 t
一个
=75
°
C
和 非 热的 runaway
典型 i
R
较少 比 0.1
µ
一个
hermetically sealed 包装
glass 钝化的 cavity-自由 接合面
有能力 的 meeting 自然环境的 standards 的
mil-s-19500
高 温度 焊接 有保证的:
350
°
c/10 秒 0.375” (9.5mm) 含铅的 长度,
5 lbs. (2.3kg) tension
机械的 数据
情况:
电子元件工业联合会 做-204ap 固体的 glass 身体
terminals:
焊盘 镀有 轴的 leads, solderable 每
mil-标准-750, 方法 2026
极性:
颜色 带宽 denotes cathode 终止
重量:
0.02 ounce, 0.56 gram
最大 比率 和 电的 特性
比率 在 25
°
c 包围的 温度 除非 否则 指定.
SYMBOLS 1N5059 1N5060 1N5061 1N5062 单位
* 最大 repetitive 顶峰 反转 电压 V
RRM
200 400 600 800 伏特
最大 rms 电压 V
RMS
140 280 420 560 伏特
* 最大 直流 blocking 电压 V
直流
200 400 600 800 伏特
* 最大 平均 向前 调整的 电流
0.375” (9.5mm) 含铅的 长度 在 t
一个
=75
°
C
I
(av)
1.0 放大
* 顶峰 向前 surge 电流
8.3ms 单独的 half sine-波 superimposed I
FSM
50.0 放大器
在 评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
* 最大 instantaneous 向前 电压 在 1.0a V
F
1.2 伏特
* 最大 全部 加载 反转 电流, 全部 循环
平均 0.375” (9.5mm) T
一个
=25
°
C
5.0
含铅的 长度 在 T
一个
=75
°
C
I
r(av)
150 100
µ
一个
* 最大 直流 反转 电流 T
一个
=25
°
C 5.0
在 评估 直流 blocking 电压 T
一个
=175
°
C
I
R
300 200
µ
一个
典型 反转 恢复 时间
(便条 1)
t
rr
1.5
µ
s
典型 接合面 电容
(便条 2)
C
J
15.0 pF
典型 热的 阻抗
(便条 3)
R
Θ
JA
55.0
°
c/w
* 运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
STG
-65 至 +175
°
C
注释:
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
dia.
0.150 (3.8)
0.100 (2.5)
dia.
1.0 (25.4)
最小值
0.240 (6.1)
最大值
1.0 (25.4)
最小值
维度 在 英寸 和 (毫米)
*
brazed-含铅的 组装 是 covered 用 专利权 非. 3,930,306
PATENTED*
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