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资料编号:289592
 
资料名称:EDE1108AASE-5C-E
 
文件大小: 697.83K
   
说明
 
介绍:
1G bits DDR2 SDRAM organized as 33,554,432 words x 8 banks.
 
 


: 点此下载
 
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文件 否. e0404e20 (ver. 2.0)
日期 已发布 april 2005 (k) 日本
已打印 入点 日本
url: http://www.elpida.com
elpida 记忆, 公司 2003-2005
数据 工作表
1g 比特 ddr2 sdram
ede1104aase (256m 字词
×
4 比特)
ede1108aase (128m 字词
×
8 比特)
描述
这 ede1104aase 是 一个 1g 比特 ddr2 sdram
×
4 比特
×
8 银行.
这 ede1108aase 是 一个 1g 比特 ddr2 sdram
×
8 比特
×
8 银行.
他们 是 已打包 入点 68-球 fbga (
µ
BGA
) 包装.
特点
电源 供应: vdd, vddq
=
1.8v
±
0.1v
双-数据-费率 体系结构: 两个 数据 转让 按
时钟 循环
bi-定向, 差速器 数据 频闪 (dqs 和
/dqs) 是 已传输/已收到与 数据, 至 是 已使用 入点
dqs 是 边缘 对齐 与 数据 用于 读取: 中心-
对齐 与 数据 用于 写入
差速器 时钟 输入 (ck 和 /ck)
dll 对齐 dq 和 dqs 过渡 与 ck
过渡
命令 已输入 开启 每个 正 ck 边缘: 数据
和 数据 面具 引用 至 两者都有 边缘 的 dqs
8 内部 银行 用于 并发 操作
数据 面具 (dm) 用于 写 数据
突发 长度: 4, 8
/cas 延迟 (cl): 3, 4, 5
自动 预充电 操作 用于 每个 突发 访问权限
自动 刷新 和 自我 刷新 模式
平均值 刷新 期间
7.8
µ
s 在 0
°
c
tc
+
85
°
c
3.9
µ
s 在
+
85
°
c
&指示灯;
tc
+
95
°
c
sstl_18 兼容 我/o
关-芯片-驾驶员 阻抗 广告调整 和 开启-模具-
终止 用于 更好 信号 质量
可编程 rdqs, /rdqs 输出 用于 制作
×
8
组织机构 兼容 至
×
4 组织机构
数据 频闪 操作.
fbga (
µ
bga) 包装 与 铅 免费 焊料
(sn-ag-铜)
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