es3a - es3d
es3a-es3d, rev. 一个
3.0 ampere superfast 整流器
绝对 最大 ratings*
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
1999 仙童 半导体 公司
参数DeviceUnits
3A3B3C3D
PeakRepetitiveReverseVolt一个ge50100150200V
M一个ximumRMSVolt一个ge3570105140V
DCReverseVolt一个ge (R一个ted v
R
)
50100150200V
M一个ximumReverseCurrent
@ r一个ted v
R
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 100
°
C
10
500
µ
一个
µ
一个
M一个ximumReverseRecoveryTime
I
F
= 0.5 一个, i
R
= 1.0 一个, i
RR
= 0.25 一个
20nS
M一个ximum forw一个rdVolt一个ge@ 3.0 一个0.90V
Typic一个lJunc德州仪器onC一个p一个c它一个nce
V
R
= 4.0V, f = 1.0 mHz
45pF
SymbolParameter值单位
I
O
Average rectified电流
.375 "含铅的 长度 @ t
一个
= 75
°
C
3.0一个
i
f(surge)
顶峰F或者ward surge 电流
8.3mssingle half-sine-wave
超级的imposed 在rated 加载 (JEDECmethod)
100一个
P
D
总的 deviceDissipation
Derate 在之上 25
°
C
2.66
21.28
W
mW/
°
C
R
θ
JA
Thermal resistance,Junctionto 一个mbient**47
°
C/W
R
θ
JL
Thermal resistance,Junctionto lead**12
°
C/W
T
stg
Storage temperature 范围-50 至+150
°
C
T
J
Oper一个tingJunction temperature-50 至+150
°
C
es3a - es3d
特性
•
为 表面 挂载 产品.
•
glass 钝化的 接合面.
•
低 profile 包装.
•
容易 挑选 和 放置.
•
建造-在 strain relief.
•
superfast 恢复 时间 为
高 efficiency.
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
**
设备 挂载 在 fr-4 pcb 0.013 mm.
smc/做-214ab
颜色 带宽 denotes c一个THODE
2
1
0.320(8.128)
0.305(7.747)
0.280(7.112)
0.260(6.604)
0.103(2.616)
0.079(2.007)
0.245(6.223)
0.220(5.588)
0.008(0.203)
0.004(0.102)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060(1.524)
0.030(0.762)
0.124(3.150)
0.108(2.743)
分离的 电源 &放大; 信号
科技
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