数据 薄板
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mos 整体的 电路
8-位 单独的-碎片 微控制器
µ
pd78f0034b, 78f0034by, 78f0034b(一个), 78f0034by(一个)
描述
这
µ
pd78f0034b 是 一个 成员 的 这
µ
pd780034a subseries 在 这 78k/0 序列, 和 是 相等的 至 这
µ
pd780034a (expanded-规格 产品) 但是 和 flash 记忆 在 放置 的 内部的 只读存储器.
这
µ
pd78f0034by 是 一个 成员 的 这
µ
pd780034ay subseries, featuring flash 记忆 在 放置 的 这 内部的
只读存储器 的 这
µ
pd780034ay.
这
µ
pd78f0034b(一个) 和 78f0034by(一个) 是 产品 至 这个 一个 质量 assurance 程序 更多 stringent 比
那 使用 为 这
µ
pd78f0034b 和 78f0034by (标准 模型) 是 应用 (nec electronics classifies 这些
产品 作 "特定的" 质量 等级 模型).
这
µ
pd78f0034b, 78f0034by, 78f0034b(一个), 和 78f0034by(一个) 包含 flash memory, 这个 能 是
编写程序 和 erased 当 挂载 在 这 板.
详细地 函数 描述 是 提供 在 这 下列的 用户’s manuals. 是 确信 至 读 它们 在之前
designing.
µ
pd780024a, 780034a, 780024ay, 780034ay subseries 用户’s manual: u14046e
78k/0 序列 操作指南 用户’s 手工的: u12326e
特性
• 管脚-兼容 和 掩饰 只读存储器 版本 (除了 v
PP
管脚)
• flash 记忆: 32 kb
便条
• 内部的 高-速 内存: 1,024 字节
便条
• 供应 电压: V
DD
= 1.8 至 5.5 v
便条
这 flash 记忆 和 内部的 高-速 内存 capacities 能 是 changed 和 这 记忆 大小 切换
寄存器 (ims).
Remark
为 这 differences 在 这 flash 记忆 和 这 掩饰 只读存储器 版本, 谈及 至
4. differences
在
µ
pd78f0034b, 78f0034by, 和 掩饰 只读存储器 版本
.
文档 非. u16369ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 january 2003 n cp(k)
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