avalanche 坚毅的 技术
坚毅的 门 oxide 技术
更小的 输入 电容
改进 门 承担
扩展 safe 运行 范围
175 运行 温度
更小的 泄漏 电流 : 10 一个 (最大值.) @ v
DS
= 100v
更小的 r
ds(在)
: 0.092 (典型值.)
先进的 电源 场效应晶体管
热的 阻抗
接合面-至-情况
情况-至-下沉
接合面-至-包围的
R
JC
R
CS
R
JA
/w
典型的 最大值 单位标识 典型值
特性
绝对 最大 比率
流-至-源 电压
持续的 流 电流 (t
C
=25 )
持续的 流 电流 (t
C
=100 )
流 电流-搏动
门-至-源 电压
单独的 搏动 avalanche 活力
avalanche 电流
repetitive avalanche 活力
顶峰 二极管 恢复 dv/dt
总的 电源 消耗 (t
C
=25 )
直线的 减额 因素
运行 接合面 和
存储 温度 范围
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8”从 情况 为 5-秒
典型的 值 单位标识
I
DM
V
GS
E
作
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, t
STG
T
L
一个
V
mJ
一个
mJ
v/ns
W
w/
一个
V
DSS
V
至-220
1.门 2. 流 3. 源
3
2
1
µ
Ω
O
1
O
2
O
3
Ο
C
Ο
C
O
1
O
1
θ
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
θ
θ
IRF530A
BV
DSS
= 100 v
R
ds(在)
= 0.11
I
D
= 14 一个
100
14
9.9
56
261
14
5.5
6.5
55
0.36
- 55 至 +175
300
2.74
--
62.5
--
0.5
--
Ω
2
0
+
_
©1999 仙童 半导体 公司
rev. b
: 点此下载
