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资料编号:315231
 
资料名称:MRF586
 
文件大小: 198.65K
   
说明
 
介绍:
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
msc1320.pdf 10-25-99
MRF586
描述:
硅 npn 晶体管, 设计 用于 vhf 和 uhf 设备. 应用程序 包括 放大器; 预-驾驶员, driver, 和
输出 阶段.也 适合 用于 振荡器 和 频率-乘数 功能.
绝对 最大值 额定值
(tcase = 25
°
c)
符号 参数 单位
v
CEO
集电极-发射极 20 Vdc
v
CBO
收集器-底座 电压 35 Vdc
v
EBO
发射器-底座 电压 3.0 Vdc
c
收集器 电流 200 ma
p
d
合计 设备 耗散 @ t
一个
= 25ºc
降额 以上 25ºc
1.0
5.71
瓦特
mw/º
c
1. 发射器
2. 底座
3. 收集器
至-39
特点
硅 npn, 至-39 已打包 vhf/uhf 晶体管
ftau = 3.0ghz (典型值) @ 300mhz, 14v, 90ma,
g
u 最大值= 12.5db (典型值) @ 300 mhz, 15v, 40ma
|S
21
|
2
= 12.5db (典型值) @ 300 mhz, 15v, 40ma
rf &放大器; 微波炉 离散
低 电源 晶体管
140 commerce 驱动器
montgomeryville, pa
18936-1013
电话: (215) 631-9840
传真: (215) 631-9855
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