©2001 仙童 半导体 公司
十一月 2001
rev. 一个, 十一月 2001
irf710b/irfs710b
irf710b/irfs710b
400v n-频道 场效应晶体管
一般 描述
这些 n-频道 增强 模式 电源 地方 效应
晶体管 是 生产 使用 仙童’s 专卖的,
planar, dmos 技术.
这个 先进的 技术 有 被 特别 tailored 至
降低 在-状态 阻抗, 提供 更好的 切换
效能, 和 承受 高 活力 脉冲波 在 这
avalanche 和 commutation 模式. 这些 设备 是 好
suited 为 高 效率 转变 模式 电源 供应 和
电子的 lamp ballasts 为基础 在 half 桥.
特性
• 2.0a, 400v, r
ds(在)
= 3.4
Ω
@V
GS
= 10 v
• 低 门 承担 ( 典型 7.7 nc)
• 低 crss ( 典型 6.0 pf)
• 快 切换
• 100% avalanche 测试
• 改进 dv/dt 能力
绝对 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
* 流 电流 限制 用 最大 接合面 温度.
热的 特性
标识 参数 IRF710B IRFS710B 单位
V
DSS
流-源 电压 400 V
I
D
流 电流
- 持续的 (t
C
= 25°c)
2.0 2.0 * 一个
- 持续的 (t
C
= 100°c)
1.3 1.3 * 一个
I
DM
流 电流 - 搏动
(便条 1)
6.0 6.0 * 一个
V
GSS
门-源 电压
±
30 V
E
作
单独的 搏动 avalanche 活力
(便条 2)
100 mJ
I
AR
avalanche 电流
(便条 1)
2.0 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
(便条 1)
3.6 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
(便条 3)
5.5 v/ns
P
D
电源 消耗 (t
C
= 25°c)
36 23 W
- 减额 在之上 25°c 0.29 0.19 w/°c
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的,
1/8
"
从 情况 为 5 秒
300 °C
标识 参数 IRF710B IRFS710B 单位
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 最大值 3.44 5.37 °C
/
W
R
θ
CS
热的 阻抗, 情况-至-下沉 典型值 0.5 -- °C
/
W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 最大值 62.5 62.5 °C
/
W
至-220
irf 序列
G
SD
S
D
G
至-220f
irfs 序列
G
S
D
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