n-ch p-ch
V
DSS
20V -20v
R
ds(在)
0.125
Ω
0.20
Ω
I
D
3.0a -2.5a
IRF7106
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1098b
先进的 处理 技术
过激 低 在-阻抗
双 n 和 p 频道 场效应晶体管
表面 挂载
有 在 录音带 &放大; 卷轴
动态 dv/dt 比率
快 切换
描述
fourth 一代 hexfets 从 国际的 整流器 utilize 先进的
处理 技巧 至 达到 这 最低 可能 在-阻抗 每 硅
范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和 加固 设备
设计 为 这个 hexfet 电源 mosfets 是 好 知道, 提供 这 设计者
和 一个 极其 效率高的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized 引线框架 为 增强
热的 特性 和 多样的-消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个 多样性 的
电源 产品. 和 这些 改进, 多样的 设备 能 是 使用 在 一个
应用 和 dramatically 减少 板 空间. 这 包装 是 设计 为
vapor 阶段, infra-red, 或者 波 焊接 技巧. 电源 消耗 的 更好
比 0.8w 是 可能 在 一个 典型 pcb 挂载 应用.
D1
N-CH一个NNELMOSFET
P-CH一个NNELMOSFET
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
T运算View
8
1
2
3
4
5
6
7
初步的
绝对 最大 比率
参数
单位
最大值
n-频道 p-频道
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 3.0 -2.5
I
D
@ t
C
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 2.5 -2.0 一个
I
DM
搏动 流 电流 10 -10
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 2.0
直线的 减额 因素 0.016
V
GS
门-至-源 电压 ± 20 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt 3.0 -3.0 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
W
w/°c
所以-8
热的 阻抗
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)** –––– –––– 62.5
°c/w
** 当 挂载 在 1" 正方形的 pcb (fr-4 或者 g-10 材料).
为 推荐 footprint 和 焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994.
修订 3
69
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