HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1095b
adavanced 处理 技术
过激 低 在-阻抗
双 n-频道 场效应晶体管
表面 挂载
有 在 录音带 &放大; 卷轴
动态 dv/dt 比率
快 切换
描述
fourth 一代 hexfets 从 国际的
整流器 utilize 先进的 处理 技巧 至
达到 这 最低 可能 在-阻抗 每 硅
范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快 切换
速 和 加固 设备 设计 那 hexfet
电源 mosfets 是 好 知道 为, 提供 这
设计者 和 一个 极其 效率高的 设备 为 使用 在
一个 宽 多样性 的 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized
引线框架 为 增强 热的 特性 和
双-消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个 多样性 的 电源
产品. 和 这些 改进, 多样的
设备 能 是 使用 在 一个 应用 和 dramatically
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 为
vapor 阶段, infra red, 或者 波 焊接 技巧.
电源 消耗 的 更好 比 0.8w 是 可能 在
一个 典型 pcb 挂载 应用.
IRF7103
所以-8
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
V
DSS
= 50v
R
ds(在)
= 0.130
Ω
I
D
= 3.0a
8/25/97
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
–––
–––
62.5°c/w
参数 最大值 单位
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 3.0
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 2.3
I
DM
搏动 流 电流
10
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 2.0
直线的 减额 因素 0.016 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 20 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
4.5 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150
绝对 最大 比率
一个
热的 阻抗 比率
W
°C