HEXFET
®
电源 场效应晶体管
fifth 一代 hexfet
®
电源 mosfets 从
国际的 整流器 utilize 先进的 处理
技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗
每 硅 范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快
切换 速 和 加固 设备 设计 那
hexfet 电源 mosfets 是 好 知道 为, 提供
这 设计者 和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的
设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized
引线框架 为 增强 热的 特性 和
多样的-消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个 多样性 的
电源 产品. 和 这些 改进, 多样的
设备 能 是 使用 在 一个 应用 和 dramatically
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 为
vapor 阶段, infra red, 或者 波 焊接 技巧.
电源 消耗 的 更好 比 0.8w 是 可能 在 一个
典型 pcb 挂载 应用.
6/5/00
描述
一代 5 技术
p-频道 场效应晶体管
表面 挂载
有 在 录音带 &放大; 卷轴
动态 dv/dt 比率
快 切换
V
DSS
= -20v
R
ds(在)
= 0.06
Ω
IRF7207
顶 view
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
DG
S
一个
D
S
S
www.irf.com 1
参数 最大值 单位
V
DS
流- 源 电压 -20 V
I
D
@ t
C
= 25
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -5.4
I
D
@ t
C
= 70
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -4.3 一个
I
DM
搏动 流 电流
-43
P
D
@T
C
= 25
°
C 电源 消耗 2.5
P
D
@T
C
= 70
°
C 电源 消耗 1.6
直线的 减额 因素 0.02 w/
°
C
V
GS
门-至-源电压 ± 12 V
V
GSM
门-至-源 电压 单独的 脉冲波 tp<10µs -16 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
140
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
-5.0 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150
°
C
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
–––
50
°
c/w
热的 阻抗
绝对 最大 比率
W
所以-8
pd - 91879a
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