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手机版
资料编号:317375
资料名称:
IRF7493
文件大小: 155.96K
说明
:
介绍
:
HEXFET Power MOSFET
: 点此下载
1
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4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.irf.com
1
所以-8
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
DG
S
一个
S
S
一个
IRF7493
HEXFET
电源 场效应晶体管
注释
通过
是 在 页 9
高 频率 直流-直流 转换器
益处
产品
低 门-至-流 承担 至 减少
切换 losses
全部地 典型 电容 包含
有效的 c
OSS
至 使简化 设计, (看
app. 便条 an1001)
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
V
DSS
R
ds(在)
最大值
qg (典型值.)
80V
15m
@V
GS
=10V
35nC
绝对 最大 比率
参数
单位
V
DS
流-至-源 电压
V
V
GS
门-至-源 电压
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
D
@ t
C
= 70°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
DM
搏动 流 电流
c
P
D
@T
C
= 25°c
最大 电源 消耗
f
W
P
D
@T
C
= 70°c
最大 电源 消耗
f
直线的 减额 因素
w/°c
T
J
运行 接合面 和
°C
T
STG
存储 温度 范围
热的 阻抗
参数
典型值
最大值
单位
R
θ
JC
接合面-至-含铅的
–––
20
R
θ
JA
接合面-至-包围的
f
–––
50
最大值
9.3
7.4
74
± 20
80
-55 至 + 150
2.5
0.02
1.6
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