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6/30/05
IRF7413ZPbF
HEXFET
电源 场效应晶体管
注释
通过
是 在 页 10
益处
过激-低 门 阻抗
非常 低 r
ds(在)
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
100% 测试 为 r
G
含铅的-自由
产品
控制 场效应晶体管 为 notebook 处理器
电源
控制 和 同步的 整流器
场效应晶体管 为 graphics cards 和 pol
转换器 在 computing, networking
和 telecommunication 系统
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
DG
S
一个
S
S
一个
所以-8
绝对 最大 比率
参数 单位
V
DS
流-至-源 电压 V
V
GS
门-至-源 电压
I
D
@ t
一个
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
D
@ t
一个
= 70°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
DM
搏动 流 电流
c
P
D
@T
一个
= 25°c
电源 消耗 W
P
D
@T
一个
= 70°c
电源 消耗
直线的 减额 因素 w/°c
T
J
运行 接合面 和 °C
T
STG
存储 温度 范围
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JL
接合面-至-流 含铅的 ––– 20 °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
f
––– 50
-55 至 + 150
2.5
0.02
1.6
最大值
13
10
100
± 20
30
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
30V
10m
@V
GS
= 10v
13A
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