©2003 仙童 半导体 公司 huf76129d3, huf76129d3s rev. b1
huf76129d3, huf76129d3s
20a, 30v, 0.016 ohm, n-channel, 逻辑
水平的 ultrafet 电源 mosfets
这些 n-频道 电源 mosfets
是 制造的 使用 这
革新的 ultrafet™ 处理.
这个 先进的 处理 技术
achieves 这 最低 可能 在-阻抗 每 硅 范围,
结果 在 优秀的 效能. 这个 设备 是 有能力
的 承受 高 活力 在 这 avalanche 模式 和 这
二极管 exhibits 非常 低 反转 恢复 时间 和 贮存
承担. 它 是 设计 为 使用 在 产品 在哪里 电源
效率 是 重要的, 此类 作 切换 regulators,
切换 转换器, 发动机 驱动器, 接转 驱动器, 低-
电压 总线 switches, 和 电源 管理 在 可携带的
和 电池-运作 产品.
formerly developmental 类型 ta76129.
特性
• 逻辑 水平的 门 驱动
• 20a, 30v
• 过激 低 在-阻抗, r
ds(在)
= 0.016
Ω
• 温度 compensating pspice
®
模型
• 温度 compensating saber
©
模式
• 热的 阻抗 额外的刺激 模型
• 热的 阻抗 saber 模型
• 顶峰 电流 vs 脉冲波 宽度 曲线
• uis 比率 曲线
• related literature
- tb334, “guidelines 为 焊接 表面 挂载
组件 至 pc boards”
标识
包装
订货 信息
部分 号码 包装 BRAND
HUF76129D3 至-251aa 76129D
HUF76129D3S 至-252aa 76129D
便条: 当 订货, 使用 这 全部 部分 号码. 增加 这 后缀 t 至
获得 这 至-252aa variant 在 录音带 和 卷轴, e.g., huf76129d3st.
D
G
S
电子元件工业联合会 至-251aa 电子元件工业联合会 至-252aa
流
(flange)
流
源
门
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(flange)
门
源
数据 薄板 january 2003
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