• co-包装 双 n-频道 hexfet
电源 场效应晶体管
和 肖特基 二极管
• 完美的 为 同步的 buck 直流-直流
转换器 向上 至 5a 顶峰 输出
• 低 传导 losses
• 低 切换 losses
• 低 vf 肖特基 整流器
双 fetky
™
co-packaged 双 场效应晶体管 加 肖特基 二极管
描述
这 fetky
™
家族 的 co-包装 hexfet
mosfets 和 肖特基 二极管 提供 这 设计者 一个 革新的,
板 空间 节省 解决方案 为 切换 调整器 和 电源 管理 产品. 先进的
HEXFET
mosfets 联合的 和 低 向前 漏出 肖特基 结果 在 一个 极其 效率高的 设备 合适的
为 一个 宽 多样性 的 可携带的 electronics 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized 引线框架 为 增强 热的 特性 和 多样的
消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个v一个riety 的 power 应用s.和 这些 improvements
,
multiple devices 能
是 使用 在 一个 应用 和 dramatically 减少 板 空间. 内部的 连接 使能 easier 板
布局 设计 和 减少 偏离 电感.
IRF7901D1
pd- 93844b
www.irf.com 1
9/19/01
所以-8
设备 比率 (最大值.值)
Q1
Q2
和 肖特基
V
DS
30V 30V
R
DS
(在)
38 m
Ω
32 m
Ω
Q
G
10.5 nc 18.3 nc
Q
sw
3.8 nc 9.0 nc
V
SD
1.0v 0.52v
参数 最大值 单位
最大 接合面-至-包围的
R
θ
JA
62.5 °c/w
最大 接合面-至-含铅的
R
θ
JL
25 °c/w
热的 阻抗
绝对 最大 比率
参数 标识 irf7901d1 单位
流-源 电压 V
DS
30 V
门-源 电压 V
GS
±20
持续的 输出 T
L
= 100°c I
D
6.2 一个
电流 (v
GS
≥
4.5v)
搏动 流 电流
I
DM
24
电源 消耗
T
L
= 100°c P
D
2.0 W
接合面 &放大; 存储 温度 范围 T
J
,
T
STG
–55 至 150 °C
搏动 源 电流
I
SM
12 一个
27
18
3
4
6
5
源
Pwr
Vi n
Pwr
Vi n
Pwr
Vout
Pwr
Vout
Q1
门
Q1
PGND
门
Q2
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