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IRF7910
HEXFET
电源 场效应晶体管
注释
通过
是 在 页 8
热的 阻抗
绝对 最大 比率
标识 参数 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 12 V
V
GS
门-至-源 电压 ± 12 v
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 10
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 7.9 一个
I
DM
搏动 流 电流
79
P
D
@T
一个
= 25°c 最大 电源 消耗
2.0 W
P
D
@T
一个
= 70°c 最大 电源 消耗
1.3 W
直线的 减额 因素 16 mw/°c
T
J
, t
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
所以-8
产品
益处
过激-低 门 阻抗
非常 低 r
ds(在)
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
高 频率 3.3v 和 5v 输入 要点-
的-加载 同步的 buck 转换器 为
netcom 和 computing 产品
电源 管理 为 netcom,
computing 和 可携带的 产品
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JL
接合面-至-流 含铅的
–––
20
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
62.5
°
c/w
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
12V
15m
Ω
@V
GS
= 4.5v 10A
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