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文档 非. m17507ej2v0ds00 (2nd 版本)
日期 发行 九月 2005 cp (k)
打印 在 日本
mos 整体的 电路
µ
pd46128512-x
128m-位 cmos mobile 指定 内存
8m-文字 用 16-位
扩展 温度 运作
初步的 数据 薄板
2005
这 mark 显示 主要的 修订 点.
描述
这
µ
pd46128512-x 是 一个 高 速, 低 power, 134,217,728 位 (8,388,608 words 用 16 位) cmos mobile
指定 内存 featuring asynchronous 页 读 和 随机的 写, 同步hronous burst 读/写 函数.
这
µ
pd46128512-x 是 fabricated 和 先进的 cmos technology 使用 一个-晶体管 记忆 cell.
特性
•
8,388,608 words 用 16 位 organization
•
异步的 页 读 模式
•
同步的 读 和 写 模式
•
burst 长度: 8 words / 16 words / 持续的
•
时钟 latency: 5, 6, 7, 8, 9, 10
•
burst sequence: 直线的 burst
•
最大值 时钟 频率: 108/83 mhz
•
字节 数据 控制: /lb (dq0至 dq7), /ub (dq8 至 dq15)
•
低 电压 运作: 1.7 至 2.0 v
•
运行 包围的温度: t
一个
=
−
30 至
+
85 °c
•
碎片 使能 输入: /ce1 管脚
•
备用物品 模式 输入: ce2 管脚
•
备用物品 模式 1: 正常的 备用物品 (记忆 cell 数据 支撑 有效的)
•
备用物品 模式 2: 密度 的 memory cell 数据 支撑 是 能变的
µ
pd46128512 时钟 异步的 运行 运行
供应 电流
频率 最初的 进入 供应 包围的
在 运行
在 备用物品
µ
一个
mhz 时间 电压 温度
毫安
(最大值.) (典型值.)
(最大值.) ns v °c
(最大值.)
密度 的 数据 支撑 密度 的 数据 支撑
(最大值.)
128M 32M 16M 8M 0m 128m 32m 16m 8M 0M
位 位 位 位 位 位 位 位 位 位
-e9x
便条
108 70 1.7 至 2.0
−
30 至
+
85
60
250 t.b.d. t.b.d. t.b.d. 65 80 t.b.d. t.b.d. t.b.d. 15
-e10x
便条
85
50
-e11x 83 70
60
-e12x 85
50
便条
下面 仔细考虑
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