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2000
文档 非. m15085ej5v0ds00 (5th 版本)
日期 发行 october 2001 ns cp (k)
打印 在 日本
mos 整体的 电路
µ
µµ
µ
PD4616112
16m-位 cmos mobile 指定 内存
1m-文字 用 16-位
数据 薄板
这 mark
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显示 主要的 修订 点.
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描述
这
µ
pd4616112 是 一个 高 速, 低 电源, 16,777,216 位 (1,048,576 words 用 16 bits) cmos mobile 指定
内存 featuring 低 电源 静态的 内存 兼容 函数 和 管脚 配置.
这
µ
pd4616112 是 fabricated 和 先进的 cmos 技术 使用 一个-晶体管 记忆 cell.
这
µ
pd4616112 是 packed 在 48-管脚 录音带 fbga.
特性
•
1,048,576 words 用 16 位 organization
•
快 进入 时间: 80, 90 ns (最大值.)
•
字节 数据 控制: /lb (i/o0 - i/o7), /ub (i/o8 - i/o15)
•
低 电压 运作: v
CC
= 2.6 至 3.0 v
•
运行 包围的 温度: t
一个
= –20 至 +70 °c
•
输出 使能 输入 为 容易 应用
•
碎片 使能 输入: /cs 管脚
•
备用物品 模式 输入: 模式 管脚
•
备用物品 mode1: 正常的 备用物品 (记忆 cell 数据 支撑 有效的)
•
备用物品 mode2: 记忆 cell 数据 支撑 invalid
产品 名字 进入 时间 运行 供应 运行 包围的 供应 电流
ns (最大值.) 电压 温度 在 运行 在 备用物品
°C 毫安 (最大值.)
µ
一个 (最大值.)
µ
pd4616112-bcxx 80, 90 2.6 至 3.0 –20 至 +70 35 100 / 10
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