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mrf9135l mrf9135lr3 mrf9135lsr3
motorola rf 设备 数据
这 rf sub–micron 场效应晶体管 线条
n–channel enhancement–mode lateral mosfets
设计 为 broadband 商业的 和 工业的 产品 和
发生率 从 865 至 895 mhz. 这 高 增益 和 broadband 效能
的 这些 设备 制造 它们 完美的 for large–signal, common–source 放大器
产品 在 26 volt 根基 station 设备.
•
典型 n–cdma 效能 @ 880 mhz, 26 伏特, i
DQ
= 1100 毫安
is–95 cdma 领航员, 同步, paging, 交通量 代号 8 通过 13
输出 电源 — 25 watts avg.
电源 增益 — 17.8 db
效率 — 25%
调整 频道 电源 —
750 khz: –47 dbc @ 30 khz bw
•
内部 matched, 为 使容易 的 使用
•
高 增益, 高 效率 和 高 线性
•
整体的 静电释放 保护
•
设计 为 最大 增益 和 嵌入 阶段 flatness
•
有能力 的 处理 10:1 vswr, @ 26 vdc, 880 mhz, 135 watts cw
输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 large–signal 阻抗 参数
•
有 在 录音带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 每 32 mm, 13 inch 卷轴.
•
有 和 低 金 镀层 厚度 在 leads. l 后缀 indicates
40
µ″
名义上的.
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
+15, –0.5 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
> = 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
298
1.7
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +200
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
静电释放 保护 特性
测试 情况 类
人 身体 模型 1 (最小)
机器 模型 m2 (最小)
承担 设备 模型 c7 (最小)
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.6
°
c/w
便条 –
提醒
– mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf9135l/d
半导体 技术的 数据
880 mhz, 135 w, 26 v
lateral n–channel
rf 电源 mosfets
情况 465–06, 样式 1
NI–780
MRF9135L
情况 465a–06, 样式 1
NI–780S
MRF9135LSR3
motorola, 公司 2002
rev 1
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