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mos 整体的 电路
µ
pd4481161, 4481181, 4481321, 4481361
8m-位 zerosb
TM
SRAM
流动 通过 运作
文档 非. m15561ej3v0ds00 (3rd 版本)
日期 发行 12月 2002 ns cp(k)
打印 在 日本
数据 薄板
这 mark
显示 主要的 修订 点.
2001
描述
这
µ
pd4481161 是 一个 524,288-文字 用 16-位, 这
µ
pd4481181 是 一个 524,288-文字 用 18-位, 这
µ
pd4481321 是 一个
262,144-文字 用 32-位 和 这
µ
pd4481361 是 一个 262,144-文字 用 36-位 zerosb 静态的 内存 fabricated 和
先进的 cmos 技术 使用 全部 cmos 六-晶体管 记忆 cell.
这
µ
pd4481161,
µ
pd4481181,
µ
pd4481321 和
µ
pd4481361 是 优化 至 eliminate dead 循环 为 读 至
写, 或者 写 至 读 transitions. 这些 zerosb 静态的 rams 合并 唯一的 同步的 附带的 电路系统, 2-位
burst 计数器 和 输出 缓存区 作 好 作 sram 核心. 所有 输入 寄存器 是 控制 用 一个 积极的 边缘 的 这
单独的 时钟 输入 (clk).
这
µ
pd4481161,
µ
pd4481181,
µ
pd4481321 和
µ
pd4481361 是 合适的 为 产品 这个 需要
同步的 运作, 高 速, 低 电压, 高 密度 和 宽 位 配置, 此类 作 缓存区 memory.
zz 有 至 是 设置 低 在 这 正常的 运作. 当 zz 是 设置 高, 这 sram enters 电源 向下 状态
(“sleep”). 在 这 “sleep” 状态, 这 sram 内部的 状态 是 preserved. 当 zz 是 设置 低 又一次, 这 sram 重新开始
正常的 运作.
这
µ
pd4481161,
µ
pd4481181,
µ
pd4481321 和
µ
pd4481361 是 packaged 在 100-管脚 塑料 lqfp 和 一个
1.4 mm 包装 厚度 为 高 密度 和 低 电容的 加载.
特性
•
低 电压 核心 供应 : V
DD
= 3.3 ± 0.165 v (-a65, -a75, -a85, -a65y, -a75y, -a85y)
V
DD
= 2.5 ± 0.125 v (-c75, -c85, -c75y, -c85y)
•
同步的 运作
•
运行 温度 : T
一个
= 0 至 70
°
c (-a65, -a75, -a85, -c75, -c85)
T
一个
=
−
40 至
+
85
°
c (-a65y, -a75y, -a85y, -c75y, -c85y)
•
100 百分比 总线 utilization
•
内部 自-安排时间 写 控制
•
burst 读 / 写 : interleaved burst 和 直线的 burst sequence
•
全部地 注册 输入 和 输出 为 流动 通过 运作
•
所有 寄存器 triggered 止 积极的 时钟 边缘
•
3.3v 或者 2.5v lvttl 兼容 : 所有 输入 和 输出
•
快 时钟 进入 时间 : 6.5 ns (133 mhz), 7.5 ns (117 mhz), 8.5 ns (100 mhz)
•
异步的 输出 使能 : /g
•
burst sequence 可选择的 : 模式
•
睡眠 模式 : zz (zz = 打开 或者 低 : 正常的 运作)
•
独立的 字节 写 使能 : /bw1 至 /bw4 (
µ
pd4481321 和
µ
pd4481361)
/bw1 和 /bw2 (
µ
pd4481161 和
µ
pd4481181)
•
三 碎片 使能 为 容易 depth expansion
•
一般 i/o 使用 三 状态 输出
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