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fda59n25 rev. 一个
fda59n25 250v n通道 场效应晶体管
九月 2005
UniFET
tm
FDA59N25
250v n通道 场效应晶体管
特点
• 59a, 250v, 右
ds(开启)
= 0.049
Ω
@V
gs
= 10 v
• 低 闸门 费用 (典型 63 nc)
• 低 c
rss
(典型 70 pf)
• 快 开关
• 100% 雪崩 已测试
• 改进 设计验证/dt 能力
描述
这些 n通道 增强功能 模式 电源 字段 效果 transis-
活动范围 是 生产 使用 仙童’s 专有, 平面 stripe,
dmos 技术.
这个 高级 技术 有 被尤其是 量身定制 至 迷你-
米泽 开启状态 电阻, provide 上级 开关 perfor-
mance, 和 承受 高 能源 脉冲 入点 这 雪崩 和
换向 模式. 这些 设备 是 井 适合 用于 高 效果-
古人 已切换 模式 电源 供应品 和 活动 电源 因素
校正.
绝对 最大值 额定值
热 特性
{
{
{
z
z
z
{
{
{
z
z
z
s
d
g
gsd
至-3p
fda 系列
符号 参数 FDA59N25 单位
v
DSS
漏源 电压 250 v
v
ds(雪崩)
重复性 雪崩 电压
(备注 1, 2)
300 v
我
d
排水管 电流 - 连续 (t
c
= 25
°
c)
- 连续 (t
c
= 100
°
c)
59
35
一个
一个
我
dm
排水管 电流 - 脉冲
(备注 1)
236 一个
v
GSS
栅极-源极 电压
±
30 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
(备注 2)
1458 mJ
我
ar
雪崩 电流
(备注 1)
59 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
(备注 1)
39.2 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
(备注 3)
4.5 v/ns
p
d
电源 耗散 (t
c
= 25
°
c)
- 降额 以上 25
°
c
392
3.2
w
w/
°
c
t
j,
t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 +150
°
c
t
l
最大值 铅 温度 用于 焊接 目的,
1/8” 从 案例 用于 5 秒
300
°
c
符号 参数 最小值 最大值 单位
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体 -- 0.32
°
c/w
右
θ
cs
热 电阻, 案例-至-水槽 0.24 --
°
c/w
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境 -- 40
°
c/w
v
ds
= 250v
v
ds(雪崩)
= 300v
右
ds(开启)
典型值 @10v = 41m
Ω
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