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资料编号:322940
 
资料名称:FDC6401N
 
文件大小: 76.33K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
 
 


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october 2001
2001 仙童 半导体 公司
fdc6401n rev c (w)
FDC6401N
双 n-频道 2.5v 指定PowerTrench

场效应晶体管
一般 描述
这个 双 n-频道 场效应晶体管 有 被 设计
specifically 至 改进 这 整体的 效率 的 直流/直流
转换器 使用 也 同步的 或者 常规的
低 门 承担, 低R
ds(在)
和 快 切换 速.
产品
直流/直流 转换器
电池 保护
电源 管理
特性
3.0 一个, 20 v. R
ds(在)
= 70 m
@ v
GS
= 4.5 v
R
ds(在)
= 95 m
@ v
GS
= 2.5 v
低 门 承担 (3.3nc)
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
高 电源 和 电流 处理 能力
D1
S2
G1
D2
S1
G2
supersot -6
TM
3
2
1
4
5
6
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 20 V
V
GSS
门-源 电压
±
12
V
I
D
流 电流 – 持续的 (便条 1a) 3.0 一个
– 搏动 12
电源 消耗 为 单独的 运作 (便条 1a) 0.96
(便条 1b)
0.9
P
D
(便条 1c)
0.7
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (便条 1a) 130
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 (便条 1) 60
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
.401 FDC6401N 7’’ 8mm 3000 单位
FDC6401N
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