FDC640P
fdc640p, rev.c
FDC640P
p-频道 2.5v 指定 powertrench
TM
场效应晶体管
8月 2000
2000 仙童 半导体 国际的
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 -20 V
V
GSS
门-源 电压
±
12
V
I
D
流 电流 - 持续的
(便条 1a)
-4.5 一个
流 电流 - 搏动 -20
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
1.6 W
(便条 1b)
0.8
T
J
, t
stg
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
78
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
30
°
c/w
包装 轮廓 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
.640 FDC640P 7’’ 8mm 3000 单位
特性
•
-4.5 一个, -20 v. r
ds(在)
= 0.050
Ω
@ v
GS
= -4.5 v
R
ds(在)
= 0.077
Ω
@ v
GS
= -2.5 v
•
坚毅的 门 比率 (
±
12v).
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
.
•
SuperSOT
TM
-6 包装: 小 footprint (72% 小
比 标准 所以-8); 低 profile (1mm 厚).
3
5
6
4
1
2
3
D
D
D
S
D
G
supersot -6
TM
一般 描述
这个 p-频道 2.5v 指定 场效应晶体管 是 生产 在
一个 坚毅的 门 版本 的 仙童 半导体's
先进的 powertrench 处理. 它 有 被 优化
为 电源 管理 产品 为 一个 宽 范围
的 门 驱动 电压.
产品
•
加载 转变
•
电池 保护
•
电源 管理
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