十一月1998
fdg6321c
双 n &放大器; p channel数字 场效应晶体管
概述 描述特点
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 n通道 p沟道 单位
v
ds
s
漏源 电压 25 -25 v
v
GSS
栅极-源极 电压 8 -8 v
我
d
排水管 电流 - 连续 0.5 -0.41 一个
- 脉冲 1.5 -1.2
p
d
最大值电源 耗散
(备注 1) 0.3 w
t
j
,t
stg
操作 和 存储 蛋彩画真实 范围右 -55 至 150 °C
esd 静电 放电 评级 密耳-标准-883d
人类 车身 型号 (100pf / 1500 欧姆)
6 kV
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境(备注 1) 415 °c/w
FDG6321Crev. d
n-ch0.50一个, 25v,右
ds(开启)
= 0.45
Ω
@ v
gs
=4.5v.
右
ds(开启)
= 0.60
Ω
@ v
gs
=2.7v.
p-ch-0.41一个,-25v,右
ds(开启)
= 1.1
Ω
@ v
gs
=-4.5v.
右
ds(开启)
= 1.5
Ω
@ v
gs
=-2.7v.
很 小 包装 大纲 sc70-6.
很 l低 水平 闸门 驱动器 要求 允许直接
操作 入点 3 v 电路(v
gs(th)
&指示灯; 1.5 v).
栅极-源极 齐纳 用于esd 坚固耐用
(>6kV人类 车身 型号).
这些 双 n&放大器; p-channel 逻辑 水平 增强功能 模式字段
效果 晶体管 是 生产 使用 仙童's 专有,
高 细胞 密度, dmos 技术. 这个 很 高 密度
流程 是 尤其是 量身定制 至 最小化 开启状态 电阻.
这个设备 有 被 设计 尤其是 用于 低 电压
应用程序 作为 一个 更换 用于 双极性 数字 晶体管 和
小 信号 mosfets.自 偏差 电阻 是 不 必填项,
这个 双数字 场效应晶体管 可以 更换 几个 不同的 数字
晶体管, with 不同的 偏差 电阻 数值.
sc70-6
SuperSOT
tm
-6
soic-14
所以-8
sot-8
sot-23
sc70-6
G1
D2
S1
D1
S2
G2
.21
5
3
2
4
1
6
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