July1999
fdg6303N
双 n-频道,
数字 场效应晶体管
概述 描述 特点
*这 引出线 是 对称; 管脚 1 和 4 是 可互换.
单位 内部 这 承运人 可以 是 的 要么 方向 和 将 不 影响 这 功能 的 这 设备.
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明
符号 参数 fdg6303n 单位
v
DSS
漏源 电压 25 v
v
GSS
栅极-源极 电压 8 v
我
d
排水管/输出 电流 - 连续 0.5 一个
- 脉冲 1.5
p
d
最大值电源 耗散(备注 1) 0.3 w
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
esd 静电 放电 评级 密耳-标准-883d
人类 车身 型号 (100 pf/ 1500
Ω
)
6.0 kV
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境 415 °c/w
FDG6303n rev.e?1
25v, 0.50一个 连续, 1.5一个 峰值.
右
ds(开启)
= 0.45
Ω
@ v
gs
=4.5v,
右
ds(开启)
=0.60
Ω
@ v
gs
=2.7v.
很 低 水平 闸门 驱动器 要求 允许直接
操作 入点 3 v 电路 (v
gs(th)
&指示灯; 1.5 v).
栅极-源极 齐纳 用于esd 坚固耐用
(>6kv 人类 车身 型号).
紧凑型 行业 标准 sc70-6 表面
安装 包装.
这些 双 n-channel 逻辑 水平 增强功能 模式
字段 效果 晶体管 是 生产 使用 仙童's
专有, 高 细胞 密度, dmos 技术. 这个
很 高 密度 流程 是 尤其是 量身定制 至
最小化 开启状态 电阻.这个设备 有 被
设计 尤其是 用于 低 电压 应用程序 作为一个
更换 用于 双极性 数字 晶体管 和 小
信号 mosfets.
sot-23
SuperSOT
tm
-8
所以-8
sot-223
sc70-6
SuperSOT
tm
-6
1 或 4
*
6 或 3
5 或 2
4 或 1
*
2 或 5
3 或 6
sc70-6
G1
D2
S1
D1
S2
G2
.03
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