fdp6030bl/fdb6030bl
fdp6030bl/fdb6030bl rev.c
july 2000
200 仙童 半导体 国际的
fdp6030bl/fdb6030bl
n-频道 逻辑 水平的 powertrench
场效应晶体管
特性
• 40 一个, 30 v. r
ds(在)
= 0.018
Ω
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 0.024
Ω
@ v
GS
= 4.5 v.
• 核心的 直流 电的 参数 指定 在 提升
温度.
• 坚毅的 内部的 源-流 二极管 能 eliminate 这
需要 为 一个 外部 齐纳 二极管 瞬时 suppressor.
• 高 效能 trench 技术 为
极其 低 r
ds(在)
.
• 175
°
c 最大 接合面 温度 比率.
绝对 最大 比率
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数
FDP6030BL FDB6030BL
单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
最大 流 电流 - 持续的
(便条 1)
40
- 搏动 120
一个
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
60 W
P
D
减额 在之上 25
°
C
0.36
w/
°
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -65 至 +175
°
C
热的 特性
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 2.5
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 62.5
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDB6030BL FDB6030BL 13
’’
24mm 800
FDP6030BL FDP6030BL Tube n/一个 45
S
D
G
S
G
D
至-220
fdp series
D
G
S
至-263ab
fdb series
一般 描述
这个 n-频道 逻辑 水平的 场效应晶体管 有 被 设计
specifically 至 改进 这 整体的 效率 的 直流/直流
转换器 使用 也 同步的 或者 常规的
切换 pwm 控制者.
这些 mosfets 特性 faster 切换 和 更小的 门
承担 比 其它 mosfets 和 comparable r
ds(在)
规格 结果 在 直流/直流 电源 供应 设计
和 高等级的 整体的 效率.
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