二月 2001
2001 仙童 半导体 公司 fds9945 rev b(w)
FDS9945
60v n-频道 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这些 n 频道 逻辑 水平的 场效应晶体管 有 被
设计 specifically 至 改进 这 整体的 效率 的
直流/直流 转换器 使用 也 同步的 或者
常规的 切换 pwm 控制者.
The 场效应晶体管 特性 faster 切换 和 更小的 门
承担 比 其它 场效应晶体管 和 comparable rds(在)
规格.
这 结果 是 一个 场效应晶体管 那 是 容易 和 safer 至 驱动
(甚至 在 非常 高 发生率), 和 直流/直流 电源
供应 设计 和 高等级的 整体的 efficiency.
特性
•
3.5 一个, 60 v. R
ds(在)
= 0.100
Ω
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 0.200
Ω
@ v
GS
= 4.5v
•
优化 为 使用 在 切换 直流/直流 转换器
和 pwm 控制者
•
非常 快 切换
•
低 门 承担.
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
D2
D2
D1
D1
S2
G2
S1
G1
管脚 1
所以-8
4
3
2
1
5
6
7
8
Q1
Q2
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 60 V
V
GSS
门-源 电压
±
20 V
I
D
流 电流 –持续的 (便条 1a) 3.5 一个
–搏动 10
电源 消耗 为 单独的 运作 (便条 1a) 2
(便条 1b)
1.6
P
D
(便条 1c)
1.0
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +175
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (便条 1a) 78 (稳步的 状态), 50 (10 秒)
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (不e 1c) 135
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 (便条 1) 40
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS9945 FDS9945 13’’ 12mm 2500 单位
FDS9945
: 点此下载
