©2005 仙童 半导体 公司
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march 2005
fds6990as rev. 一个
fds6990as 双 30v n-频道 powertrench
®
SyncFET™
FDS6990AS
双 30v n
-
频道 powertrench
®
SyncFET™
特性
■
7.5 一个, 30 v. R
ds(在)
= 22 m
Ω
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 28 m
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
■
包含 syncfet 肖特基 二极管
■
低 门 承担 (10nc 典型)
■
高 效能 trench 技术 为 极其 低
R
ds(在)
■
高 电源 和 电流 处理 能力
产品
■
直流/直流 转换器
■
发动机 驱动
一般 描述
这 fds6990as 是 设计 至 替代 一个 双 所以-8 场效应晶体管
和 二 肖特基 二极管 在 同步的 直流:直流 电源 sup-
plies. 这个 30v 场效应晶体管 是 设计 至 maximize 电源 con-
version efficiency, 供应 一个 低 r
ds(在)
和 低 门 承担.
各自 场效应晶体管 包含 整体的 肖特基 二极管 使用 fair-
child’s 大而单一的 syncfet 技术. 这 效能 的 这
fds6990as 作 这 低-一侧 转变 在 一个 同步的 rectifier 是
类似的 至 这 效能 的 这 fds6990a 在 并行的 和 一个
肖特基 二极管.
绝对 最大 比率
T
一个
=25°c 除非 否则 指出
Package 标记 和 订货 信息
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压
±
20 V
I
D
流 电流 – 持续的 (便条 1a) 7.5 一个
– 搏动 20
P
D
Power 消耗 为 双 运作 2 W
Power 消耗 为 单独的 运作 (便条 1a) 1.6
(便条 1b) 1
(便条 1c) 0.9
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (便条 1a) 78
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 (便条 1) 40
°
c/w
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS6990AS FDS6990AS 13" 12mm 2500 单位
FDS6990AS fds6990as_nl (便条 4) 13" 12mm 2500 单位
D2
D2
D1
D1
S2
G2
S1
G1
管脚 1
所以-8
45
36
27
1
8
Q1
Q2
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