二月 2003
2003 仙童 半导体 公司
fds6675a rev c (w)
FDS6675A
30v p-频道 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这个 p-频道 场效应晶体管 是 一个 坚毅的 门 版本 的
仙童 半导体’s 先进的 powertrench
处理. 它 有 被 优化 为 电源 管理
产品 需要 一个 宽 范围 的 门 驱动 电压
比率 (4.5v – 25v).
产品
•
电源 管理
•
加载 转变
•
电池 保护
特性
•
–11 一个, –30 v R
ds(在)
= 13 m
Ω
@ v
GS
= –10 v
R
ds(在)
= 19 m
Ω
@ v
GS
= –4.5 v
•
低 门 承担
•
快 切换 速
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
高 电源 和 电流 处理 能力
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
D
D
D
D
S
S
S
G
管脚 1
所以-8
4
3
2
1
5
6
7
8
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 –30 V
V
GSS
门-源 电压
±
25
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
–11 一个
– 搏动 –50
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
2.5
(便条 1b)
1.2
P
D
(便条 1c)
1
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +175
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
50
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1c)
125
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
25
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS6675A FDS6675A 13’’ 12mm 2500 单位
FDS6675A
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