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资料编号:323650
 
资料名称:FDS8874
 
文件大小: 2556.29K
   
说明
 
介绍:
N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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8月 2005
fds8874 n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
©2005 仙童 半导体 公司
fds8874 rev. 一个
www.fairchildsemi.com
1
FDS8874
n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
30v, 16a, 5.5m
特性
r
ds(在)
= 5.5m
, v
GS
D
= 16a
r
ds(在)
= 7.0m
, v
GS
= 4.5v, i
D
= 15a
高 效能 trench 技术 为 极其 低
r
ds(在)
低 门 承担
高 电源 和 电流 处理 能力
100% rg 测试
rohs 一致的
一般 描述
这个 n-频道 场效应晶体管 有 是en 设计 specifically 至
改进 这 整体的 efficiency 的 直流/直流 转换器 使用
也 同步的 或者 常规的 切换 pwm
控制者. 它 有 被 优化 为 低 门 承担, 低
r
ds(在)
和 快 切换 速.
5
8
7
6
1
2
3
4
场效应晶体管 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
热的 特性
包装 标记 和订货 信息
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流 至 源 电压 30 V
V
GS
门 至 源 电压
±
20 V
I
D
流 电流
16 一个
持续的 (t
一个
o
c, v
GS
= 10v, r
θ
JA
= 50
o
c/w)
持续的 (t
一个
o
c, v
GS
= 4.5v, r
θ
JA
= 50
o
c/w) 15 一个
搏动 图示 4 一个
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力 (便条 1) 265 mJ
P
D
电源 消耗 2.5 W
减额 在之上 25
o
c20mw/
o
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 -55 至 150
o
C
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面 至 情况 (便条 2) 25
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至包围的 在 10 秒 (便条 3) 50
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 ambient 在 1000 秒 (便条 3) 85
o
c/w
设备 标记 设备 包装 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS8874 FDS8874 所以-8 330mm 12mm 2500 单位
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