April1999
FDS6961一个
双n-channel逻辑 水平的PowerTrench
TM
场效应晶体管
一般描述 特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 其它 wise 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压 ±20 V
I
D
流 电流 - 持续的(便条 1a) 3.5 一个
- 搏动 14
P
D
电源 消耗为 单独的 运作(便条 1) 2 W
电源 消耗为 单独的 运作(便条 1a) 1.6
(便条 1b) 1
(便条 1c) 0.9
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 78 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 40 °c/w
FDS6961一个Rev.c
3.5一个, 30 v. r
ds(在)
= 0.090
Ω
@V
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 0.140
Ω
@V
GS
= 4.5 v.
快 切换 速.
低 门 承担 (2.1nc 典型).
高 效能trench 技术为 极其 低
R
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力.
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8 sot-223SuperSOT
TM
-6
这些n-频道 逻辑 水平的 mosfets是
生产 使用 仙童 半导体's
先进的 powertrench 处理 那 有 被
特别 tailored 至 降低 这 在-状态
阻抗 和 还 维持更好的 切换
效能.
这些 设备 是 好 suited 为 低 电压
和电池 powered 产品在哪里 低
在-线条 电源 丧失 和 快 切换 是
必需的.
S1
D1
S2
G1
所以-8
D2
D2
D1
G2
FDS
6961A
管脚
1
1
5
7
8
2
3
4
6
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