october 2001
2001 仙童 半导体 公司
fds6892az rev c (w)
FDS6892AZ
双 n-频道 逻辑 水平的 pwm 优化 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这些 n-频道 逻辑 水平的 mosfets 是 生产
使用 仙童 半导体’s 先进的
powertrench 处理 那 有 被 特别 tailored
至 降低 这 在-状态 阻抗 和 还 维持
更好的 切换 效能.
这些 设备 是 好 suited 为 低 电压 和
电池 powered 产品 在哪里 低 在-线条 电源
丧失 和 快 切换 是 必需的.
特性
•
7.5 一个, 20 v. R
ds(在)
= 18 m
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
R
ds(在)
= 24 m
Ω
@ v
GS
= 2.5 v
•
低 门 承担 (12nc 典型)
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
高 电源 和 电流 处理 能力
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
D2
D2
D1
D1
S2
G2
S1
G1
管脚 1
所以-8
45
36
27
18
Q1
Q2
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 20 V
V
GSS
门-源 电压
±
12 V
I
D
流 电流 – 持续的 (便条 1a) 7.5 一个
– 搏动 30
电源 消耗 为 双 运作 2
电源 消耗 为 单独的 运作 (便条 1a) 1.6
(便条 1b)
1
P
D
(便条 1c)
0.9
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (便条 1a) 78
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 (便条 1) 40
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS6892AZ FDS6892AZ 13’’ 12mm 2500 单位
FDS6892AZ
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