将 2003
2002 仙童 半导体 公司
fds2170n3 rev b1w)
FDS2170N3
200v n-频道 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这个 n-频道 场效应晶体管 有 被 设计
specifically 至 改进 这整体的 效率 的 直流/直流
转换器 使用 也 同步的 或者 常规的
切换 pwm 控制者. 它 有 被 优化 为
“low side” 同步的 rectifier 运作, 供应 一个
极其 低 r
ds(在)
在 一个 小 包装.
产品
•
同步的 整流器
•
直流/直流 转换器
特性
•
3.0 一个, 200 v. R
ds(在)
= 128 m
Ω
@ v
GS
= 10 v
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
高 电源 和 电流 处理 能力
•
快 切换, 低 门 承担 (26nc 典型)
•
flmp 所以-8 包装: 增强 热的
效能 在 工业-标准 包装 大小
45
36
27
18
bottom-一侧
流 联系
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 200 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
3.0 一个
– 搏动 20
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
3.0
W
(便条 1b)
1.8
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
40
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
0.5
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS2170N3 FDS2170N3 13’’ 12mm 2500 单位
FDS2170N3
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