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fga25n120antd rev. b
fga25n120antd 1200v npt 海沟 igbt
8月 2005
FGA25N120ANTD
1200v npt 海沟 igbt
特点
• npt 海沟 技术, 正 温度 系数
• 低 饱和度 电压: v
ce(sat), 典型值
= 2.0v
@ 我
c
= 25a 和 t
c
= 25
°
c
• 低 开关 损失: e?
关, 典型值
= 0.96mj
@ 我
c
= 25a 和 t
c
= 25
°
c
• 极其 增强型 雪崩 能力
描述
使用 仙童's 专有 海沟 设计 和 高级 npt
技术, 这 1200v npt igbt 优惠 上级 传导
和 开关 演出, 高 雪崩 坚固耐用 和
容易 平行 操作.
这个 设备 是 井 适合 用于 这 谐振 或 软 开关
应用程序 这样的 作为 诱导 加热, 微波炉 烤箱, 等
绝对 最大值 额定值
热 特性
g
c
e?
g
c
e?
g
c
e?
至-3p
符号 描述 FGA25N120ANTD 单位
v
消费电子展
集电极-发射极 电压 1200 v
v
ges
栅极-发射极 电压
±
20 v
我
c
收集器 电流 @ t
c
= 25
°
C50 一个
收集器 电流 @ t
c
= 100
°
C25 一个
我
厘米
脉冲 收集器 电流
(备注 1)
75 一个
我
f
二极管 连续 前进 电流 @ t
c
= 100
°
C25 一个
我
调频
二极管 最大值 前进 电流 150 一个
p
d
最大值 电源 耗散 @ t
c
= 25
°
c 312 w
最大值 电源 耗散 @ t
c
= 100
°
c 125 w
t
j
操作 接合点 温度 -55 至 +150
°
c
t
stg
存储 温度 范围 -55 至 +150
°
c
t
l
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/8” 从 案例 用于 5 秒
300
°
c
符号 参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体 用于 igbt -- 0.4
°
c
/
w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体 用于 二极管 -- 2.0
°
c
/
w
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境 -- 40
°
c
/
w
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