©2004 仙童 半导体 公司 fga25n120an rev. 一个
IGBT
FGA25N120AN
FGA25N120AN
概述 描述
雇用 npt 技术, 仙童’s 一个 系列 的 igbts
提供 低 传导 和 开关 损失. 这 一个
系列 优惠 一个 解决方案 用于 应用程序 这样的 作为 诱导
加热 (ih), 电机 控制, 概述 目的 逆变器 和
不间断 电源 供应品 (ups).
特点
• 高 速度 开关
• 低 饱和度 电压 : v
ce(sat)
= 2.5 v @ 我
c
= 25a
• 高 输入 阻抗
绝对 最大值 额定值
t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明
备注 :
(1) 重复性 评级 : 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度
热 特性
符号 描述 FGA25N120AN 单位
v
消费电子展
集电极-发射极 电压 1200 v
v
ges
栅极-发射极 电压
±
20 v
我
c
收集器 电流 @ t
c
= 25
°
C40 一个
收集器 电流 @ t
c
= 100
°
C25 一个
我
厘米 (1)
脉冲 收集器 电流 75 一个
p
d
最大值 电源 耗散 @ t
c
= 25
°
c 310 w
最大值 电源 耗散 @ t
c
= 100
°
c 125 w
t
j
操作 接合点 温度 -55 至 +150
°
c
t
stg
存储 温度 范围 -55 至 +150
°
c
t
l
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/8” 从 案例 用于 5 秒
300
°
c
符号 参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体 -- 0.4
°
c
/
w
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境 -- 40
°
c
/
w
应用程序
诱导 加热, ups, 交流电 &放大器; 直流 电机 控件 和 概述 目的 逆变器.
g
c
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c
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