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资料编号:328859
 
资料名称:FLM0910-12F
 
文件大小: 183.87K
   
说明
 
介绍:
X-Band Internally Matched FET
 
 


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1
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x-带宽 内部 matched 场效应晶体管
特性
高 输出 电源: p1db=40.5dbm(典型值.)
高 增益: g1db=7.0db(典型值.)
高 pae:
η
增加=25%(典型值.)
broad 带宽: 9.5~10.5ghz
阻抗 matched zin/zout = 50
hermetically sealed 包装
绝对 最大 比率 (情况 温度 tc=25
°
c)
电的 character
°
c)
情况 样式: ib
版本 1.2
九月 2004
1
flm0910-12f
便条 : 为基础 在 eiaj ed-4701 c-111a(c=100pf, r=1.5k
)
Item 标识 比率 单位
流-源 电压
门-源 电压
总的 电源 消耗
存储 温度
V
DS
V
GS
PTot
T
stg
15
-5
57.6
-65 至 +175
V
V
W
o
C
频道 温度
T
ch
175
o
C
电源 增益 在 1db g.c.p.
限制
Item 标识
测试 情况
单位
流 电流
输出 电源 在 1db g.c.p.
增益 flatness
I
DSS
P
1dB
G
一个
V
dB
dBm
最小值
典型值 最大值
流 电流
I
dsr
mS
V
一个
- 5000 -
-0.5 -1.5 -3.0
-5.0 - -
39.5 40.5 -
6.0 7.0 -
- 3.5 4.5
V
DS
=10V
f=9.5 - 10.5 ghz
I
DS
=0.5idss (典型值.)
Zs=Z
L
=50
电源-增加 效率
η
增加
%
- 25 -
--1.2
- 6.0 9.0
V
DS
=5v, v
GS
=0V
跨导
g
m
V
DS
=5v, i
DS
=3.6a
pinch-止 电压
V
p
V
DS
=5v, i
DS
=300mA
门-源 损坏 电压
V
GSO
I
GS
=-340ua
G
1dB
dB
热的 阻抗
R
th
频道 至 情况
- 2.3 2.6
o
c/w
频道 温度 上升
T
ch
10v x idsr x rth
--80
o
C
描述
这 flm0910-12f 是 一个 电源 gaas 场效应晶体管 那 是 内部 matched
为 标准 交流 和 radar bands 至 提供 最佳的
电源 和 增益 在 一个 50
系统.
推荐 运行 情况 (情况 温度 Tc=25
°
c)
Item 标识
情况
单位
直流 输入 电压
门 电流
V
DS
I
GS
10
32.0
V
毫安
限制
R
G
=50
门 电流
I
GR
R
G
=50
-5.6
毫安
g.c.p.:增益 压缩 要点, s.c.l.:单独的 运输车 水平的
便条:rf-测试 是 量过的 和 vgs-常量 电路.
静电释放
2000V
 
~
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