IRFP9140N
初步的
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1492a
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个
益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者
和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用
在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 至-247 包装 是 preferred 为 商业的-
工业的 产品 在哪里 高等级的 电源 水平
preclude 这 使用 的 至-220 设备. 这 至-247 是
类似的 但是 更好的 至 这 早期 至-218 包装
因为 的 它的 分开的 挂载 孔.
V
DSS
= -100v
R
ds(在)
= 0.117
Ω
I
D
= -23a
先进的 处理 技术
动态 dv/dt 比率
175°c 运行 温度
p-频道
快 切换
全部地 avalanche 评估
描述
至-247ac
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -10v -23
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -10v -16 一个
I
DM
搏动 流 电流
-76
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 140 W
直线的 减额 因素 0.91 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
430 mJ
I
AR
avalanche 电流
-11 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
14 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
-5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw 10 lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大 比率
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 1.1
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.24 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 40
热的 阻抗
3/16/98
S
D
G