©2000 仙童 半导体 国际的
april 2000
rev. 一个, april 2000
FQA12N60
QFET
QFETQFET
QFET
TM
FQA12N60
600v n-频道 场效应晶体管
一般 描述
这些 n-频道 增强 模式 电源 地方 效应
晶体管 是 生产 使用 仙童’s 专卖的,
planar stripe, dmos 技术.
这个 先进的 技术 有 被 特别 tailored 至
降低 在-状态 阻抗, 提供 更好的 切换
效能, 和 承受 高 活力 脉冲波 在 这
avalanche 和 commutation 模式. 这些 设备 是 好
suited 为 高 效率 转变 模式 电源 供应.
特性
• 12a, 600v, r
ds(在)
= 0.7
Ω
@ v
GS
= 10 v
• 低 门 承担 ( 典型 42 nc)
• 低 crss ( 典型 25 pf)
• 快 切换
• 100% avalanche 测试
• 改进 dv/dt 能力
绝对 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
热的 特性
标识 参数 FQA12N60 单位
V
DSS
流-源 电压 600 V
I
D
流 电流
- 持续的 (t
C
= 25°c)
12 一个
- 持续的 (t
C
= 100°c)
7.6 一个
I
DM
流 电流 - 搏动
(便条 1)
48 一个
V
GSS
门-源 电压
±
30 V
E
作
单独的 搏动 avalanche 活力
(便条 2)
790 mJ
I
AR
avalanche 电流
(便条 1)
12 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
(便条 1)
24 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
(便条 3)
4.5
V
ns
P
D
电源 消耗 (t
C
= 25°c)
240 W
- 减额 在之上 25°c 1.92 w/°c
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的,
1/8
从 情况 为 5 秒
300 °C
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 -- 0.52 °C
W
R
θ
CS
热的 阻抗, 情况-至-下沉 0.24 -- °C
W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 -- 40 °C
W
!
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S
D
G
至-3p
fqa 序列
G
SD
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