参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 1.4
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 0.89 一个
I
DM
搏动 流 电流
5.6
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 36 W
直线的 减额 因素 0.28 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 30 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
3.8 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
场效应晶体管
HEXFET
电源 场效应晶体管
转变 模式 电源 供应 (smps)
uninterruptable 电源 供应
电源 因素 纠正
低 门 承担 qg 结果 在 简单的
驱动 必要条件
改进 门, avalanche 和 动态
dv/dt 强壮
全部地 典型 电容 和
avalanche 电压 和 电流
V
DSS
rds(在) 最大值 I
D
600V 7.0
Ω
1.4a
注释
通过
是 在 页 9
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低 电源 单独的 晶体管 flyback
d-pak
IRFR1N60A
i-pak
IRFU1N60A
IRFR1N60A
IRFU1N60A