1
记忆
所有 数据 薄板 是 主题 至 改变 没有 注意
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1 megabit (128k x 8-位) -
otp 非易失存储器
27C010T
©2001 maxwell 科技
所有 权利 保留.
12.12.01 rev 2
F
EATURES
:
• 128k x 8 位 otp 非易失存储器 organization
•R
AD
-p
AK
® 辐射-硬化 相反自然的 空间 radia-
tion
• 总的 剂量 硬度:
- >100 克拉 (si), 取决于 在之上 空间 使命
• 极好的 单独的 事件 影响:
- sel
TH
let: > 80 mev/mg/cm
2
- seu
TH
let (读 模式): >80 mev/mg/cm
2
• 包装:
- 32 管脚 r
AD
-p
AK
® flat 包装
- 重量 - 6.0 grams
• 快 进入 时间:
- 120, 150, 200 ns (最大值) 时间 有
• 低 电源 消耗量:
- 起作用的 模式: 50 mw/mhz (典型值)
- 备用物品 模式: 5µw (典型值)
• 高 速 页 和 文字 程序编制:
- 页 程序编制 时间: 14 秒 (典型值)
• 程序编制 电源 供应:
- v
PP
= 12.5 v ± 0.3 v
• 一个-时间 可编程序的
• 管脚 arrangement
- 电子元件工业联合会 标准 字节-宽 非易失存储器
- flash 记忆 和 掩饰 只读存储器 兼容
D
ESCRIPTION
:
maxwell 科技
’ 27c010t 高 密度 1 megabit
一个-时间 可编程序的 electrically 可编程序的 读
仅有的 记忆 微型电路 特性 一个 更好 比 100 克拉 (si)
总的 剂量 容忍, 取决于 在之上 空间 使命. 这
27c010t 特性 快 地址 时间 和 低 电源 dissipa-
tion. 这 27c010t 提供 high 速 程序编制 使用 页
程序编制 模式. 这 27c010t 是 offered 在 电子元件工业联合会-stan-
dard 字节-宽 非易失存储器 pinouts, which 准许 插座 替代-
ment 和 flash 记忆 和 掩饰 roms.
maxwell 科技' 专利的 r
AD
-p
AK
® 包装 technol-
ogy 包含 辐射 shielding 在 这 微型电路 包装-
age. 它 排除 这 需要 为 盒 防护 当 供应
这 必需的 辐射 防护 for 一个 存在期 在 影响范围 或者 空间
使命. 在 一个 geo 影响范围, r
AD
-p
AK
提供 更好 比 100
克拉 (si) 辐射 剂量 tolerance. 这个 产品 是 有
和 放映 向上 至 类 s.
1024 x 1024
记忆 矩阵变换
x-解码器
输入
数据
控制
y-gating
y-解码器
H
H
: 高 门槛 反相器
V
SS
V
PP
V
CC
PGM
OE
CE
i/o7
i/o0
A16
A12
A9
A5
a0-a4 a10-a11
1
16 17
32 V
CC
PGM
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
i/o3v
SS
i/o2
i/o1
i/o0
A1
A0
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A15
A16
V
PP
27C010T
逻辑 图解
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