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资料编号:338499
 
资料名称:FX6ASJ-03
 
文件大小: 105.06K
   
说明
 
介绍:
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
 
 


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rev.1.00, 8月.20.2004, 页 1 的 6
fx6asj-03
高-速 切换 使用
pch 电源 mos 场效应晶体管
rej03g0247-0100
rev.1.00
8月.20.2004
特性
驱动 电压 : 4 v
V
DSS
: – 30 v
r
ds(在) (最大值)
: 0.29
I
D
: – 6 一个
恢复 时间 的 这 整体的 快 恢复 二极管 (典型值.) : 40 ns
外形
mp-3a
1
3
2
4
1. 门
2. 流
3. 源
4. 流
1
2, 4
3
产品
最大 比率
(tc = 25°c)
参数 标识 比率 单位 情况
流-源 电压 V
DSS
–30 V V
GS
= 0 v
门-源 电压 V
GSS
±
20 V V
DS
= 0 v
流 电流 I
D
–6 一个
流 电流 (搏动) I
DM
–24 一个
avalanche 电流 (搏动) I
DA
–6 一个 l = 30
µ
H
源 电流 I
S
–6 一个
源 电流 (搏动) I
SM
–24 一个
最大 电源 消耗 P
D
20 W
频道 温度 Tch – 55 至 +150
°
C
存储 温度 Tstg – 55 至 +150
°
C
Mass 0.32 g 典型 值
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