©2001 仙童 半导体 公司
FYP1010DN
rev. b, 十一月 2001
肖特基 屏障 整流器
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
°°
°
c 除非 否则 指出
热的 特性
电的 特性
(每 二极管)
* 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度=300
µ
s, 职责 循环
=
2%
标识 参数 值 单位
V
RRM
最大 repetitive 反转 电压 100 V
V
R
最大 直流 反转 电压 100 V
I
f(av)
平均 调整的 向前 电流 @ t
C
= 135
°
C10 一个
I
FSM
非-repetitive 顶峰 surge 电流 (每 二极管)
60hz 单独的 half-sine 波
100 一个
T
j,
T
STG
运行 接合面 和 存储 温度 -65 至 +150
°
C
标识 参数 值 单位
R
θ
JC
最大 热的 阻抗, 接合面 至 情况 (每 二极管) 2.5
°
c/w
标识 参数 值 单位
V
FM
*
最大 instantaneous 向前 电压
I
F
= 5a
I
F
= 5a
I
F
= 10a
I
F
= 10a
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
0.75
0.65
0.95
0.73
V
I
RM
*
最大 instantaneous 反转 电流
@ 评估 v
R
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
1
30
毫安
FYP1010DN
特性
• 低 向前 电压 漏出
• 高 频率 properties 和 切换 速
• 守卫 环绕 为 在-电压 保护
产品
• 切换 模式 电源 供应
• freewheeling 二极管
至-220
1 2 3
1. anode 2.cathode 3. anode