sot223 npn 硅 planar 高 电流
(高 效能) 晶体管
公布 2 - october 1995
特性
* 极其 低 相等的 在-阻抗;
R
ce(sat)
44m
Ω
在 5a
* 6 放大器 持续的 电流, 向上 至 20 放大器 顶峰 电流
* 非常 低 饱和 电压
* 极好的 h
FE
特性 指定 向上 至 10 放大器
partmarking 详细信息 - 设备 类型 在 全部
complementary 类型 - FZT851 FZT951
FZT853 FZT953
绝对 最大 比率.
参数 标识 FZT851 FZT853 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
150 200 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
60 100 V
发射级-根基 电压 V
EBO
66V
顶峰 脉冲波 电流 I
CM
20 10 一个
持续的 集电级 电流 I
C
6A
电源 消耗 在 t
amb
=25°C P
tot
3W
运行 和 存储 温度
范围
T
j
:t
stg
-55 至 +150 °C
*the 电源 这个 能 是 dissipated 假设 这 设备 是 挂载 在 一个 典型 manner 在 一个
p.c.b. 和 铜 equal 至 4 正方形的 inch 最小
FZT851
FZT853
C
C
E
B
3 - 260
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