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MRFG35010MT1
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf gaas 线
镓 砷化物 phemt
rf 电源 字段 效果 晶体管
设计用于 wll/mmds/bwa 或 umts 驾驶员 应用程序 与 频率
从 1.8 至 3.6 ghz. 设备 是 不匹配 和 是 适合 用于 使用 入点 类 ab
线性 底座 车站 应用程序.
•
典型 w-cdma 业绩:-42 dbc acpr, 3.55 ghz, 12 伏特,
我
DQ
= 180 ma, 5 mhz 偏移量/3.84 mhz bw, 64 dpch (8.5 db p/a
@ 0.01% 概率)
输出 电源 — 900 mw
电源 增益 — 10 db
效率 — 28%
•
9 瓦特 p1db @ 3.55 ghz
•
优秀 相位 线性度 和 集团 延迟 特性
•
高 增益, 高 效率 和 高 线性度
•
入点 胶带 和 卷轴. t1 后缀 = 1000 单位 按 12 mm, 7 英寸 卷轴.
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
排水管-来源 电压 v
DSS
15 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
22.7
(2)
0.15
(2)
瓦特
w/
°
c
闸门-来源 电压 v
gs
-5 Vdc
rf 输入 电源 p
入点
33 dBm
存储 温度 范围 t
stg
- 65 至 +150
°
c
频道 温度
(1)
t
ch
175
°
c
操作 案例 温度 范围 t
c
- 20 至 +85
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例 右
θ
jc
6.6
(2)
°
c/w
水分 灵敏度 水平
测试一下 方法论 评级
按 jesd 22-A113 1
(1) 用于 可靠 操作, 这 操作 频道 温度 应该 不 超过 150
°
c.
(2) 模拟.
订单 这个 文件
由 mrfg35010mt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
3.5 ghz, 9 w, 12 v
电源 场效应晶体管
gaas phemt
MRFG35010MT1
案例 466-02, 风格 1
PLD-1.5
塑料
摩托罗拉, 公司 2003
rev 2
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飞思卡尔 半导体, 公司
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