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将 1994
版权
INTEL CORPORATION 1995
顺序 Number 271305-001
VE28F008
8 MBIT (1 MBIT x 8) FLASH 记忆
Y
高-密度 Symmetrically Blocked
Architecture
十六 64 Kbyte Blocks
Y
Avionics 温度 范围
b
40
Cto
一个
125
C
Y
扩展 Cycling 能力
10K 块 擦掉 循环
160K 块 擦掉
循环 每 碎片
Y
Automated 字节 写 和 块 擦掉
Command 用户 接口
状态 寄存器
Y
系统 效能 增强
RYBY
状态 输出
擦掉 Suspend 能力
Y
非常 高-效能 读
95 ns 最大 进入 时间
Y
sram-兼容 写 接口
Y
硬件 数据 保护 特性
EraseWrite Lockout 在 电源
Transitions
Y
工业 标准 包装
40-含铅的 TSOP
Y
ETOX
TM
III Nonvolatile Flash
技术
12V 字节 WriteBlock 擦掉
Y
独立 软件 Vendor 支持
Microsoft
Flash 文件 系统 (ffs)
Intel’s VE28F008 8-mbit Flash 文件
TM
记忆 revolutionizes 这 设计 的 高 效能 和 durable
mass 存储 记忆 系统 为 这 Industrial Avionics 和 军队 markets 和 它的 革新的 特性
像 低 power blocked architecture 高 readwrite performance 和 expanded 温度 range 任何
design 或者 mission 是 自由 从 这 dependence 在 电池 backed 向上 记忆 或者 高级地 敏感的 和 慢
rotating 媒介 drives
使用 这 VE28F008 在 一个 PCMCIA 21 Flash 记忆 card ATA 驱动 或者 任何 大小 或者 shape 单元 将 准许
data application 或者 运行 系统 至 是 updated 或者 collected anywhere 和 在 anytime 这个 数据 在
要求 特性 确保 保护 从 obsolesce 通过 地方 或者 在 系统 软件 updates
这 VE28F008’s 高级地 整体的 Command 用户 接口 和 写 状态 Machine 减少 这 大小 和
complexity 的 系统 软件 当 供应 高 read 写 和 擦掉 performance 这 十六 separately
可擦掉的 64 Kbyte blocks along 和 一个 多样的 写 数据 保护 system 提供 assurance 那 高级地
重要的 数据 将 是 有 当 needed
这 VE28F008 是 offered 在 一个 40-含铅的 TSOP (薄的 小 外形 包装) 这个 是 有能力 的 performing 在
温度 从
b
40
Cto
一个
125
C 它 雇用 先进的 CMOS 电路系统 为 系统 需要 低 电源
消耗量 和 噪音 immunity 这 VE28F008’s 95 ns 进入 时间 提供 更好的 效能 当
对照的 至 有磁性的 mass 存储
制造的 在 Intel’s 08 micron ETOX
TM
III process 这 VE28F008 提供 这 最高的 水平 的 quality
可靠性 和 费用 effectiveness
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