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2001
mos 整体的 电路
µ
µµ
µ
pd444016-y
4m-位 cmos 快 sram
256k-文字 用 16-位
扩展 温度 运作
初步的 数据 薄板
文档 非. m15391ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 二月 2001 ns cp(k)
打印 在 日本
描述
这
µ
pd444016-y 是 一个 高 速, 低 电源, 4,194,304 位 (262,144 words 用 16 bits) cmos 静态的 ram.
运行 供应 电压 是 5.0 v
±
0.5 v.
这
µ
pd444016-y 是 packaged 在 44-管脚 塑料 tsop (ii).
特性
•
262,144 words 用 16 位 organization
•
快 进入 时间 : 8, 10, 12 ns (最大值.)
•
字节 数据 控制 : /lb (i/o1 - i/o8), /ub (i/o9 - i/o16)
•
输出 使能 输入 为 容易 应用
•
单独的 +5.0 v 电源 供应
订货 信息
部分 号码 包装 进入 时间 供应 电流 毫安 (最大值.)
ns (最大值.) 在 运行 在 备用物品
µ
pd444016g5-8y-7jf 44-管脚 塑料 tsop (ii) 8 220 10
µ
pd444016g5-10y-7jf (10.16 mm (400)) 10 200
µ
pd444016g5-12y-7jf (正常的 bent) 12 190
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