© 1996 ixys 所有 权利 保留
特性
国际的 标准 包装
电子元件工业联合会 至-247 smd 表面
mountable 和 电子元件工业联合会 至-247 ad
高 频率 igbt
高 电流 处理 能力
2nd 一代 hdmos
TM
处理
mos 门 转变-在
- 驱动 simplicity
产品
交流 发动机 速 控制
直流 伺服 和 robot 驱动
直流 choppers
uninterruptible 电源 供应 (ups)
转变-模式 和 resonant-模式
电源 供应
有利因素
高 电源 密度
合适的 为 表面 挂载
切换 速 为 高 频率
产品
容易 至 挂载 和 1 screw, 至-247
(insulated 挂载 screw 孔)
标识 测试 情况 典型的值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
BV
CES
I
C
= 250
µ
一个, v
GE
= 0 v 600 V
V
ge(th)
I
C
= 250
µ
一个, v
CE
= v
GE
2.5 5 V
I
CES
V
CE
= 0.8 • v
CES
T
J
= 25
°
C 200
µ
一个
V
GE
= 0 v T
J
= 125
°
C1mA
I
GES
V
CE
= 0 v, v
GE
=
±
20 v
±
100 nA
V
ce(sat)
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v 2.7 V
至-247 ad
(50n60a)
G
C
E
c (tab)
g = 门, c = 集电级,
e = 发射级, tab = 集电级
92797h(9/96)
E
G
c (tab)
V
CES
= 600 v
I
C25
= 75 一个
V
ce(sat)
= 2.7 v
t
fi
= 275 ns
IXGH50N60A
IXGH50N60AS
HiPerFAST
TM
IGBT
表面 mountable
标识 测试 情况 最大比率
V
CES
T
J
= 25
°
c 至 150
°
C 600 V
V
CGR
T
J
= 25
°
c 至 150
°
c; r
GE
= 1 m
Ω
600 V
V
GES
持续的
±
20 V
V
GEM
瞬时
±
30 V
I
C25
T
C
= 25
°
C75A
I
C90
T
C
= 90
°
C50A
I
CM
T
C
= 25
°
c, 1 ms 200 一个
SSOA
V
GE
= 15 v, t
VJ
= 125
°
c, r
G
= 10
Ω
I
CM
= 100 一个
(rbsoa)
clamped inductive 加载, l = 30
µ
H @ 0.8 v
CES
P
C
T
C
= 25
°
C 250 W
T
J
-55 ... +150
°
C
T
JM
150
°
C
T
stg
-55 ... +150
°
C
最大 含铅的 和 tab 温度 为 焊接 300
°
C
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s
M
d
挂载 torque, 至-247 ad 1.13/10 nm/lb.在.
重量
至-247 smd 4 g
至-247 ad 6 g
至-247 smd
(50n60as)
: 点此下载
