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资料编号:359218
 
资料名称:GT20J101
 
文件大小: 259.67K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
 
 


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GT20J101
2002-01-18
1
toshiba insulated 门 双极 晶体管
硅 n 频道 igbt
GT20J101
高 电源 切换 产品
这 3rd 一代
增强-模式
高 速: t
f
=
0.30 µs (最大值)
低 饱和 电压: v
ce (sat)
= 2.7 v (最大值)
最大 比率
=
==
=
25°c)
典型的 标识 比率 单位
集电级-发射级 电压 V
CES
600 v
门-发射级 电压 V
GES
±
20 v
直流 i
C
20
集电级 电流
1 ms I
CP
40
一个
集电级 电源 消耗
(tc
=
25°c)
P
C
130 w
接合面 温度 T
j
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
55~150 °c
单位: mm
电子元件工业联合会
JEITA
toshiba 2-16c1c
重量: 4.6 g
Preliminary
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