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资料编号:359449
 
资料名称:GT60M323
 
文件大小: 193.03K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
 
 


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GT60M323
2004-07-06
1
toshiba 绝缘 闸门 双极性 晶体管 硅 n 频道 igbt
GT60M323
电压 共振 逆变器 开关 应用程序
增强功能 模式 类型
高 速度 : t
f
=
0.09 µs (典型值.) (我
c
= 60 一个)
低 饱和度 电压 : v
ce (sat)
= 2.3 v (典型值.) (我
c
= 60 一个)
至-3p(lh) (toshiba 包装 姓名)
最大值 额定值
(助教
=
25°c)
特性 符号 评级 单位
集电极-发射极 电压 v
消费电子展
900 v
栅极-发射极 电压 v
ges
±25 v
@ tc
=
100°C 31
连续 收集器
电流
@ tc
=
25°C
c
60
一个
脉冲 收集器 电流
cp
120 一个
直流 我
f
15
二极管 前进 电流
脉冲 我
fp
120
一个
@ tc
=
100°C 80
收集器 电源
耗散
@ tc
=
25°C
p
c
200
w
接合点 温度 t
j
150 °c
存储 温度 范围 t
stg
55 至 150 °C
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻 (igbt)
th (j-c)
0.625 °c/w
热 电阻 (二极管)
th (j-c)
4.0 °c/w
等效 电路 标记
单位: mm
电子元件工业联合会
JEITA
toshiba 2-21f2c
重量: 9.75 g (典型值.)
闸门
发射器
收集器
GT60M323
TOSHIBA
日本
批号 否.
一个 线 表示
铅 (铅)-免费 包装 或
铅 (铅)-免费 饰面.
零件 否. (或 缩写 代码)
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